Box Optronics es propietario de la fábrica y admite diodos láser EML DFB de 1550 nm y 10 GHz.
Longitud de onda opcional: 1530 nm, 1550 nm u otra
Potencia de salida personalizada: 5mW u otra
¿Dónde se puede utilizar el diodo láser EML DFB de 1550 nm y 10 GHz?
Tomografía de coherencia óptica (OCT);
Giroscopio de fibra óptica (FOG);
Microscopio de fuerza atómica (AFM), etc.
BRLD | -XXX | -XX | -XX | -XX |
Tipo de láser | Longitud de onda (nm) | Potencia de salida (mW) | tipo de fibra | Tipo de conector |
Láser de modulación | 1530: 1530nm 1550: 1550nm Otro |
05: 5 10: 10 |
SM: modo único PM: mantenimiento de la polarización |
FA: FC/APC Sudáfrica: SC/APC N0: nulo |
.Parámetro | Símbolo | Condición | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad |
Tensión del modulador de nivel ON | VO | - | -0,7 | - | 0 | V |
Corriente umbral | ITH | CW,Vm=V0 | - | 15 | 30 | mamá |
Corriente de funcionamiento | PIO | - | 40 | - | 100 | mamá |
Penalización de dispersión | DP | *1 | - | - | 2.0 | dB |
voltaje directo | VF | CW, si = Iop | - | 1.4 | 2.0 | V |
voltaje de modulación | PPV | - | - | 2 | 2.6 | V |
Tasa de extinción | REXT | *2 | 10 | - | - | dB |
Longitud de onda de oscilación máxima | λP | *2 | 1530 | - | 1565 | Nuevo Méjico |
Relación de supresión en modo lateral | SMSR | CW | 35 | - | - | dB |
tiempo de subida | TR | 20 a 80%*2 | - | 20 | 25 | PD |
tiempo de otoño | tF | 20 a 80%*2 | - | 20 | 25 | PD |
Monitorear la corriente | Soy | CW, SI = IOP, Vm=Vo, VDR = 5 V | 40 | - | 1100 | μA |
Monitorear la corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | VDR ï¼5V | - | 2 | 100 | n / A |
Monitorear capacitancia | Connecticut | VDR ï¼5V | - | 2 | 15 | pF |
TEC actual | ITEC | TL = 25°C, TC = 70°C | - | - | 1.0 | A |
Voltaje TEC | VTEC | TL = 25°C, TC = 70°C | - | - | 2.4 | V |
Consumo de energía más frío | ordenador personal | CW, IF = IOP, Vm = VO, TC(OP) = -20 °C a 70 °C | - | - | 2.4 | W |
Resistencia del termistor | RTH | TC(OP) ï¼ 25°C | 9.5 | - | 10.5 | kΩ |
Termistor B constante | B | - | 3270 | 3450 | 3630 | K |
Error de seguimiento | TE | CW, IF = IOP, Vm = VO, TC (OP) = 20 °C a = 70 °C | -0,5 | - | 0,5 | dB |
Impedancia de entrada | ZIN | - | - | 50 | - | Ω |
Pérdida de retorno de alta frecuencia | T11 | fï¼5GHz 50Ω equipo de prueba, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP | 8 | - | - | dB |
|
|
fï¼10GHz 50Ω equipo de prueba, Vm ï¼VO, IF ï¼IOP | 5 | - | - | dB |
Frecuencia de corte | S21 | -Ancho de banda de 3 dB: equipo de prueba de 50Ω, Vm = VO - 0,5 Vpp, IF = IOP | 10 | - | - | GHz |
Ruido de intensidad relativa | Rin | CW, potencia de salida 5mW | - | - | -120 | dB/Hz |
Aislamiento | ES | TC(OP) ï¼ -20°C a 70°C | 25 | 35 | - | dB |