Diodo láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW
Box Optronics es propietario de la fábrica y admite diodos láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW.
Longitud de onda opcional: 1060 nm u otra
Potencia de salida personalizada: 5mW u otra
El módulo de bomba de 980 nm utiliza una construcción plana con chip en subportadora. El chip de alta potencia está sellado herméticamente en un paquete de mariposa de 14 pines sin epoxi ni fundente y equipado con un termistor, un refrigerador termoeléctrico y un diodo de monitor.
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Descripción del producto
1.Información de pedido
| BFLD | -XXXF | -XX | XX | -XX | X |
| Láser | Longitud de onda | Potencia de salida | tipo de fibra | Tipo de conector | tubo suelto |
| Bomba | 974: 974nm | 1H: 100mW | SM: modo único | FA: FC/APC | Nulo: fibra desnuda |
| Láser | 976: 976nm | 2H: 200mW... | PM: mantenimiento de la polarización | SA: SC/APC N0: nulo | 1: tubo suelto |
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6H: 600mW |
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Fábrica propia, soporte personalizado.
Caliente:Diodo láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW
Caliente:Diodo láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW
2.Características del diodo láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW
Potencia operativa sin torceduras de hasta 500 mW;
paquete de mariposa de 14 PINes sin epoxi ni fundente con fibra SM Hi1060 o PM;
Estabilización de rejilla de fibra de Bragg, selección de longitud de onda disponible;
Enfriador termoeléctrico integrado, termistor y diodo monitor.
paquete de mariposa de 14 PINes sin epoxi ni fundente con fibra SM Hi1060 o PM;
Estabilización de rejilla de fibra de Bragg, selección de longitud de onda disponible;
Enfriador termoeléctrico integrado, termistor y diodo monitor.
3.Aplicaciones del diodo láser de bomba SM de 980 nm y 500 mW
Multiplexación por división de longitud de onda densa(DWDM); amplificadores de fibra dopada con erbio(EDFA);
Arquitecturas EDFA con recuento de bombas reducido;
Troncales de televisión por cable (CATV) de muy larga distancia y distribución de muy alto número de nodos.
Arquitecturas EDFA con recuento de bombas reducido;
Troncales de televisión por cable (CATV) de muy larga distancia y distribución de muy alto número de nodos.
4.Características electroópticas
| Parámetros | Símbolo | Mín. | Tipo. | Máx. | Unidad | Notas |
| LD Umbral de corriente | ITH |
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90 | 110 | mamá | CW |
| Potencia de salida | FP |
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500 | mW | Si(BOL) |
| LD Corriente directa | SI |
|
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1000 | mamá | PF=Potencia nominal |
| Poder sin torceduras | PKINK | 450 |
|
|
mW | |
| Corriente libre de torceduras | IKINK | mamá | [1] | |||
| LD Tensión directa | VF |
|
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2.5 | V | PF=Potencia nominal |
| Longitud de onda central | λC | 973 | 974 | 975 | Nuevo Méjico | Pico, PF = potencia nominal |
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|
975 | 976 | 977 |
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| Giro de longitud de onda máxima | â³Î»p/â³Tamb |
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0.02 | nm/â | T: Temperatura FBG. |
| Ancho del espectro | â³Î» |
|
|
2 | Nuevo Méjico | RMS@-13dB |
| Estabilidad del espectro |
|
-0,5 |
|
0.5 | Nuevo Méjico | PF=Potencia nominal,t=60s |
| Supervisar la capacidad de respuesta | MI/PF |
|
1 | 20 | uA/mW | VPD=5V,PF=Potencia nominal |
| Supervisar la estabilidad de la capacidad de respuesta |
|
|
|
20% |
|
@Toda temperatura de funcionamiento. |
| Monitorear la corriente oscura | IDENTIFICACIÓN |
|
|
50 | n / A | VPD=5V |
| TEC actual | ITEC |
|
|
2 | A | TCASE=75°C |
| Voltaje TEC | VTEC |
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|
3.5 | V | TCASE=75°C |
| TEC Consumo de energía modular | P |
|
|
5 | W | TCASE=75°C |
| Estabilidad de poder |
|
|
|
0.20.51 | dB | Pico a pico, t = 60 s, muestreo de CC a 50 kHz, TC = 25 ℃ |
| Error de seguimiento | TE | -0,5 |
|
0.5 | dB | TC=-5~75°C, referido a [2] |
| Resistencia del termistor | RTH | 9.5 | 10 | 10.5 | Kohm | TSTG=25℃ |
| Termistor B constante | BTH |
|
3900 |
|
k | TSTG=25℃ |
5.Envío
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Si lo necesita con urgencia, pregunte si está en stock.
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